由靜電學(xué)可知，對于平行板電容器，有如下的關(guān)系式：C=ε．S/L ……①即電容的容量與介質(zhì)的介電常數成正比，與兩個(gè)極板的面積成正比，與兩個(gè)極板之間的距離成反比。

另外，當一個(gè)電容器充有Q量的電荷，那么電容器兩個(gè)極板要形成一定的電壓，有如下關(guān)系式：C=Q/V ……②

對于一個(gè)駐極體咪頭，內部存在一個(gè)由振膜，墊片和極板組成的電容器，因為膜片上充有電荷，并且是一個(gè)塑料膜，因此當膜片受到聲壓強的作用，膜片要產(chǎn)生振動(dòng)，從而改變了膜片與極板之間的距離，從而改變了電容器兩個(gè)極板之間的距離，產(chǎn)生了一個(gè)Δd的變化，因此由公式①可知，必然要產(chǎn)生一個(gè)ΔC的變化，由公式②又知，由于ΔC的變化，充電電荷又是固定不變的，因此必然產(chǎn)生一個(gè)ΔV的變化。

這樣初步完成了一個(gè)由聲信號到電信號的轉換。

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由于這個(gè)信號非常微弱，內阻非常高，不能直接使用，因此還要進(jìn)行阻抗變換和放大。

FET場(chǎng)效應管是一個(gè)電壓控制元件，漏極的輸出電流受源極與柵極電壓的控制。

由于電容器的兩個(gè)極是接到FET的S極和G極的，因此相當于FET的S極與G極之間加了一個(gè)Δv的變化量，FET的漏極電流I就產(chǎn)生一個(gè)ΔID的變化量，因此這個(gè)電流的變化量就在電阻RL上產(chǎn)生一個(gè)ΔVD的變化量，這個(gè)電壓的變化量就可以通過(guò)電容C0輸出，這個(gè)電壓的變化量是由聲壓引起的，因此整個(gè)咪頭就完成了一個(gè)聲電的轉換過(guò)程。